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HiPerFET TM
Power MOSFETs
IXFX 44N60
IXFK 44N60
V DSS
I D25
R DS(on)
= 600 V
= 44 A
= 130 m W
Single MOSFET Die
t rr ￡ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
PLUS 247 TM (IXFX)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
600
600
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
D
(TAB)
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
44
176
44
A
A
A
TO-264 AA (IXFK)
E AR
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
60
3
5
560
mJ
J
V/ns
W
G = Gate
S = Source
G
D
S
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
T J
-55 ... +150
° C
T JM
T stg
T L
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
150
-55 ... +150
300
° C
° C
° C
Features
? International standard packages
M d
Weight
Mounting torque
TO-264
PLUS 247
TO-264
0.4/6
Nm/lb.in.
6
g
10
g
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
- easy to drive and to protect
? Fast intrinsic rectifier
Applications
? DC-DC converters
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 3mA
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
600
2.5
V
4.5 V
± 100 nA
100 m A
2 mA
130 m W
? DC choppers
? AC motor control
? Temperature and lighting controls
Advantages
? PLUS 247 TM package for clip or spring
mounting
? Space savings
Note 1
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
? High power density
98611B (7/00)
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